база транзистора — tranzistoriaus bazė statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. transistor base vok. Basis des Transistors, f rus. база транзистора, f pranc. base du transistor, f … Fizikos terminų žodynas
БАЗА — (1) в архитектуре основание, подножие, нижняя часть опоры колонны или столба; (2) Б. полупроводникового прибора область полупроводникового прибора, в которую инжектируются не основные для этой области носители заряда; (3) Б. транзистора средняя… … Большая политехническая энциклопедия
БАЗА — (франц. base, от греч. basis) 1) Б. в архитектуре основание (подножие), ниж. опорная часть (см. рис^) колонны или пилястры (см. Ордер архитектурный). 2) Б. в геодезии то же, что базис. 3) Б. в машиностроении совокупность поверхностей, линий или… … Большой энциклопедический политехнический словарь
Изобретение транзистора — Основная статья: Транзистор Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги выводы коллектора и эми … Википедия
напряжение смыкания биполярного транзистора — Обратное напряжение коллектор база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор база. Обозначение UСМК Upt [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN … Справочник технического переводчика
Напряжение смыкания биполярного транзистора — 10. Напряжение смыкания биполярного транзистора E. Punch through (penetration) voltage F. Tension de pénétration (tension de persage) Ucмк Обратное напряжение коллектор база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Сопротивление базы биполярного транзистора — 42. Сопротивление базы биполярного транзистора D. Basisbahnwiderstand E. Base intrinsic resistance F. Résistance intrinséque de base r K Сопротивление между выводом базы и переходом база эмиттер Источник: ГОСТ 20003 74: Транзисторы биполярные.… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
напряжение насыщения база-эмиттер — Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора. Обозначение UБЭнас UBEsat [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN saturation base emitter voltage DE Basis Emitter… … Справочник технического переводчика
Напряжение насыщения база-эмиттер — 8. Напряжение насыщения база эмиттер D. Basis Emitter Sättigungsspannung E. Saturation baseemitter voltage F. Tension de saturation base émetteur UБЭнас Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Биполярный транзистор — Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая наглядная схема устройства транзистора Биполярный транзистор трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно… … Википедия